双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术

• 作者: 刘英坤 段雪 苏丽娟 邓建国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 "Bosch"工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7|TN304.12
• 字数: 1816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.08.011

摘要

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺.在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀.同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果.采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
2	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
3	苏丽娟	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	14	2.0	3.0
4	段雪	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	19	3.0	4.0