CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展

• 作者: 孙蕾 李远 汪建华 满卫东 熊礼威 谢鹏
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石薄膜 掺杂 半导体 N型 P型
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 134-139,171
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 5384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2008.03.002

摘要

含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近儿年来国内外研究的热点之一.介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景.