ZnO/Si纳米孔柱阵列的真空蒸镀及其光致发光特性

• 作者: 姚志涛 朱丽红 李新建 许海军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌(ZnO) 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) ZnO/Si-NPA 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2346字
• 语种: 中文

摘要

以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,通过采用真空蒸镀技术沉积金属锌,再在纯氧气氛中进行氧化退火的方法,制备出具有阵列特征的ZnO/Si-NPA异质结构材料.研究发现,ZnO/Si-NPA的表面形貌、结构和光致发光特性强烈依赖于氧化退火温度.当氧化退火温度低于400 ℃时,样品的发光主要来自于Si-NPA衬底;当氧化退火温度高于700 ℃时,样品的发光主要来自于ZnO薄膜;经过600 ℃氧化退火的样品则同时包含有来自于Si-NPA和ZnO薄膜的发光.上述结果表明,通过控制ZnO/Si-NPA制备过程中的氧化退火温度,可以在一定程度上实现对其光致发光谱的有效调控.这对未来制备具有特定功能的半导体光电器件具有重要的实际意义.