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摘要:
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积技术在不同条件下制备了GaN/Si-NPA,并对其表面形貌和结构进行了表征.结果表明,随着制备温度和氨气流量的升高,GaN/Si-NPA中GaN纳米结构的形貌发生显著变化,特征尺寸逐渐变大.对样品光致发光谱的测试结果表明,不同温度制备的GaN/Si-NPA均具有紫外光、黄光和红光3个发光带,但发光带的强度、峰位和半高宽随制备温度发生变化.对GaN/Si-NPA的光致发光过程与发光机制进行了分析,通过改变制备条件可以对其光致发光特性实现有效调控.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于硅纳米孔柱阵列氮化镓纳米结构的光致发光特性
来源期刊 郑州大学学报(理学版) 学科 物理学
关键词 硅纳米孔柱阵列 氮化镓 光致发光 能带结构
年,卷(期) 2017,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 101-105
页数 5页 分类号 O482.31
字数 3204字 语种 中文
DOI 10.13705/j.issn.1671-6841.2016197
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李新建 郑州大学物理工程学院 52 218 8.0 13.0
2 刘伟康 郑州大学物理工程学院 6 9 2.0 3.0
3 杜蕊 郑州大学物理工程学院 3 0 0.0 0.0
4 朱文亮 郑州大学物理工程学院 2 0 0.0 0.0
5 冯明海 郑州大学物理工程学院 2 0 0.0 0.0
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氮化镓
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