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摘要:
采用水热腐蚀法制备了硅纳米孔柱阵列( Si-NPA),并对其进行了不同时间的高温碳化处理。通过对样品光致发光谱进行对比分析,发现Si-NPA经碳化处理后红光发光峰消失,蓝光发射峰强度增强,同时出现一个新的紫外光发光峰。结合对Si-NPA中碳原子存在状态的拉曼分析,蓝光发射峰、紫外光发射峰被分别归因于氧化硅的缺陷发光和碳原子掺杂Si-NPA引起的缺陷发光。上述研究结果为澄清Si-NPA的发光机制以及实现其发光稳定性提供了有益的信息。
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文献信息
篇名 碳化的硅纳米孔柱阵列的光致发光特性
来源期刊 郑州大学学报(理学版) 学科 物理学
关键词 硅纳米孔柱阵列 碳化 光致发光
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 64-68
页数 5页 分类号 O482.31
字数 3876字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-6841.2015.03.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李新建 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 52 218 8.0 13.0
2 胡楚雄 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
3 王小波 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
4 闫玲玲 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
5 蔡晓君 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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硅纳米孔柱阵列
碳化
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