四方晶相HfO2电子结构和光学性质研究

• 作者: 冯丽萍 刘正堂 许冰
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 四方HfO2晶体 电子结构,光学性质 密度泛函理论(DFT) 赝势
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1644-1647
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.12.019

摘要

采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA),计算了四方HfO2晶体的电子结构,包括能带结构和态密度.在此基础上计算了四方Hf02晶体的光学线性响应函数,包括复介电函数、吸收光谱、复折射率和光电导谱.通过比较发现,计算结果与实验结果吻合较好,说明采用密度泛函理论的局域密度近似来计算HfO2材料的光学性质是比较可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
2	冯丽萍	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	45	159	7.0	9.0
3	许冰	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	10	52	5.0	7.0