MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究

• 作者: 王巍 王玉青 申君君
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SIC 肖特基二极管 氢敏传感器
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 692-695
• 页数: 4页
• 分类号: TN311
• 字数: 2813字
• 语种: 中文

摘要

在结合考虑6H-SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理, 建立了传感器模型,具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响.利用MATLAB对传感器的电流-电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真,结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素,并确定了在300 ℃时传感器最佳绝缘层厚度为2～2.35 nm,从而有效地提高了传感器灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	王玉青	重庆邮电大学光电工程学院	9	17	3.0	3.0
3	申君君	重庆邮电大学光电工程学院	5	8	2.0	2.0