衬底温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响

• 作者: 严辉 李军 王如志 王波
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 场发射 衬底温度 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 473-477
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1|TN304.271
• 字数: 2634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.016

摘要

利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜.研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系.实验结果表明, 开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面形貌的变化所致.衬底温度为300 ℃时沉积的ZnO薄膜样品粗糙度最小,场发射性能最差,其开启场强为1.7 V/μm,场强为3.8 V/μm时电流密度仅为0.001 97 A/cm2;衬底温度为400 ℃时沉积的ZnO薄膜样品表面粗糙度最大,场发射特性也优于其他薄膜;开启场强为0.82 V/μm, 场强为3.8 V/μm时电流密度稳定在0.03 A/cm2.Fowler-Nordheim(F-N)曲线为直线表明, 电子是在外加电场的作用下隧穿表面势垒束缚发射到真空的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军		1	3	1.0	1.0
2	王如志		1	3	1.0	1.0
6	王波		1	3	1.0	1.0
7	严辉		1	3	1.0	1.0