MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜

• 作者: 刘安东 吴正龙 廖斌 张旭 覃礼钊
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEVVA源 类金刚石膜 多层膜 厚膜
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 806-810
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.11.002

摘要

采用金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MBVVA)离子源注入技术,将Ni离子注入到类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)膜中,并重复沉积和注入过程,制备出2个层数分别为10层和15层、厚度达1.0μm和1.5μm、注入剂量不同的DLC:Ni膜样品.性能测试结果显示,膜内应力得到有效释放,膜基结合紧密,仍保持较高sp3含量以及较高硬度和弹性模量,是一种制备DLC厚膜的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴正龙	北京师范大学分析测试中心	41	276	7.0	15.0
2	刘安东	北京师范大学低能核物理研究所	11	28	4.0	5.0
3	张旭	北京师范大学低能核物理研究所	37	208	8.0	13.0
4	覃礼钊	北京师范大学低能核物理研究所	9	59	4.0	7.0
8	廖斌	北京师范大学低能核物理研究所	27	69	4.0	7.0