Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

• 作者: 刘丹敏 吉元 夏洋 李志国 王晓冬 肖卫强 钟涛兴
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连 氮氧化硅 钽 扩散阻挡层 二次离子质谱仪 X射线衍射仪
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 179-182
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.11|TN405.97
• 字数: 2737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.03.012

摘要

采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况.测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散.与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能.有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜.离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7 MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	吉元	北京工业大学固体微结构与性能研究所	42	159	7.0	9.0
3	刘丹敏	北京工业大学固体微结构与性能研究所	50	272	8.0	14.0
4	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
5	钟涛兴	北京工业大学固体微结构与性能研究所	25	213	9.0	13.0
6	肖卫强	北京工业大学固体微结构与性能研究所	47	227	7.0	12.0
7	王晓冬	中国人民武装警察部队学院基础部	10	23	3.0	4.0