辐照对聚酰亚胺基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

• 作者: 付志强 倪晓军 刘杨秋 梁彤祥
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺基板 氮化钛 铜薄膜金属化 辐照
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 11-12,16
• 页数: 3页
• 分类号: TG146
• 字数: 1755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.12.004

摘要

采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散.研究了在60Co-(射线辐照条件下,TiN阻挡层的阻挡效果,扫描俄歇微探针谱图分析表明:TiN层可以有效地阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内的扩散.当照射剂量大于2×105 Gy后,TiN失去阻挡Cu元素扩散的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁彤祥	清华大学核能技术设计研究院新材料研究室	51	422	12.0	18.0
2	倪晓军	清华大学核能技术设计研究院新材料研究室	20	109	5.0	10.0
3	付志强	清华大学核能技术设计研究院新材料研究室	7	47	4.0	6.0
4	刘杨秋	清华大学核能技术设计研究院新材料研究室	7	60	4.0	7.0