AlN薄膜的制备与绝缘性能研究

• 作者: 周继承 胡利民
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频反应磁控溅射 AlN薄膜 抗电强度 快速热退火
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3288字
• 语种: 中文

摘要

利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜.通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响.通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13-15 MV/cm,薄膜的相对介电常数为4.22,XPS测试与分析表明薄膜中不含Al单质,且Al2p的75.1 eV的峰值表明薄膜表面已被部分氧化;薄膜的退火分析表明1 000 ℃左右的退火温度有利于提高薄膜的抗电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	胡利民	中南大学物理科学与技术学院	2	17	2.0	2.0