射频等离子体改性工艺与氧化铟锡薄膜性能研究

• 作者: 钟志有
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡 氧气等离子体表面改性 X射线光电子能谱 原子力显微镜 透射光谱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 138-142
• 页数: 5页
• 分类号: TN383
• 字数: 3738字
• 语种: 中文

摘要

采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了IID表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后ITO薄膜的表面性质.结果表明,氧气等离子体处理降低了ITO表面的粗糙度和方块电阻,改善了ITO表面的化学组分和浸润性能.另外,以表面处理前后的ITO基片作为空穴注入电极,采用真空热蒸镀技术制备了有机薄膜电致发光(OTFEL)器件,并对器件的电流.电压.亮度特性以及电流效率进行了测试和分析,实验结果显示,氧气等离子体处理降低了启亮电压和驱动电压,提高了发光亮度和电流效率,有效地改善了OTFEL器件的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0