HFCVD法制备SiC材料及结构分析

• 作者: 刘香茹 尤景汉 汤正新 王辉 陈庆东
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 HFCVD 晶体
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 72-73
• 页数: 2页
• 分类号: TQ153
• 字数: 1457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2008.02.024

摘要

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为SiC晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤景汉		28	169	6.0	12.0
2	王辉		105	528	9.0	18.0
3	刘香茹		26	140	6.0	11.0
4	汤正新		50	129	6.0	8.0
5	陈庆东		42	156	7.0	11.0