HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

• 作者: 宋航 李志明 王辉 缪国庆 蒋红 赵海峰 金亿鑫
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 碳化硅 HFCVD
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 455-457
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010

摘要

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.