HFCVD法制备纳米晶态SiC及其室温下的光致发光

• 作者: 宋航 王辉 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米材料 碳化硅 光致发光 碳化 热丝化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 721-724
• 页数: 4页
• 分类号: O473|O482.31
• 字数: 2589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.06.021

摘要

用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC.为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了缓冲层,确立了形成缓冲层的最佳条件.采用扫描电镜、傅里叶红外吸收谱和X射线衍射等分析手段对样品进行了结构和组分分析.结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的是晶态纳米SiC,纳米晶粒平均尺寸约为60 nm,并在室温下观察到所制备的纳米SiC位于380～420 nm范围内的短波可见光.研究和分析了碳化时间对发光峰及红外吸收峰位置的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	215	3061	28.0	49.0
2	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
3	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	12	54	5.0	6.0
4	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	13	45	4.0	5.0
5	宋航	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0