Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

• 作者: 周祚万 张会广 李艳霞 范希梅
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: T-ZnO 晶须 场发射性能 紫外光发射
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 806-809,815
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2008.06.023

摘要

用丝网印刷法将 Al 掺杂的 T-ZnO 晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373～383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510～540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阚值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30 249.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周祚万		13	117	7.0	10.0
2	李艳霞		4	24	4.0	4.0
3	范希梅		1	7	1.0	1.0
4	张会广		1	7	1.0	1.0