O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究

• 作者: 刘正民 尤伟 张利民 张小东 王文秀 葛琴
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 离子注入 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 595-599
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 3333字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.08.008

摘要

采用光致发光(Photoluminescencc,PL)谱的测量,研究了1012～1017cm-2的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射(Yellow luminescence,YL)的影响,注入后的样品在流动N2的保护下进行退火,退火温度950℃,退火时间30 min.对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射,结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心,当C离子注入剂量高达1017cm-2时,能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正民	兰州大学核科学与技术学院	12	45	3.0	6.0
2	张小东	兰州大学核科学与技术学院	12	35	3.0	5.0
3	尤伟	兰州大学核科学与技术学院	3	8	1.0	2.0
4	张利民	兰州大学核科学与技术学院	6	13	2.0	3.0
5	王文秀	兰州大学核科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
6	葛琴	兰州大学核科学与技术学院	1	1	1.0	1.0