C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析

• 作者: 孙小菁 张国恒 张汉谋 徐小丽 陈彦 马书懿 魏晋军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 纳米碳粒 电致发光 位形坐标
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 145-147
• 页数: 3页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.01.043

摘要

采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	张国恒	西北师范大学物理与电子工程学院	47	95	5.0	7.0
4	徐小丽	西北师范大学物理与电子工程学院	10	63	4.0	7.0
5	陈彦	西北民族大学电气工程学院	7	15	2.0	3.0
6	魏晋军	西北师范大学物理与电子工程学院	19	66	4.0	8.0
9	张汉谋	西北师范大学物理与电子工程学院	7	23	3.0	4.0