有机碱对铜CMP材料去除率作用的实验研究

• 作者: 于秀坤 李庆忠 苏建修 郭东明
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMP 有机碱 铜 材料去除率
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 812-814,818
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1003-8728.2008.06.025

摘要

分别使用几种有机碱作为络合剂、SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,复配后分别进行相同工艺参数的抛光试验.试验结果表明:乙二胺强络合作用明显,对铜的去除率最大可以达到850.8 nm/min,表面粗糙度Ra=13.540(A) ;二羟基乙基乙二胺和二乙醇胺去除率较低,本试验中最大分别为71.8 nm/min和25.1 nm/min.乙二胺适合用于碱性环境下的ULSI铜抛光液,材料去除率较高的原因是有效的强络合作用与抛光参数相匹配以及化学作用和机械作用动态平衡的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
2	李庆忠		47	113	5.0	6.0
6	于秀坤		1	4	1.0	1.0
7	苏建修		43	283	9.0	15.0