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AEO6对铜CMP后清洗颗粒去除的影响
AEO6对铜CMP后清洗颗粒去除的影响
作者:
檀柏梅
胡新星
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
化学机械平坦化
铜CMP后清洗
去除颗粒
表面活性剂
摘要:
硅溶胶等残留颗粒是铜CMP后清洗需要去除的沾污之一.在FA/OⅡ螯合剂的协同作用下,对比了八种表面活性剂和四种添加剂对铜表面颗粒沾污去除的影响,表面活性剂包括阴离子型ALS、LABSA、MAP-K、LPS-30和非离子型AEO6、LEP-10、LDEA、APG1214,添加剂为硝酸钾、柠檬酸、乙二醇、枧油.并对表面活性剂和添加剂的浓度进行优化.清洗方式为使用PVA刷进行刷洗,清洗后通过金相显微镜检测剩余颗粒,扫描电镜观测铜表面形貌.实验得出颗粒去除效果较好的表面活性剂为AEO6,较佳的浓度为0.02 M.聚氧乙烯类表面活性剂与FA/OⅡ螯合剂的配伍效果较好.添加0.9wt%枧油可使AEO6清洗液的颗粒去除效果略微提升,枧油做复配的非离子表面活性剂.
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篇名
AEO6对铜CMP后清洗颗粒去除的影响
来源期刊
硅酸盐通报
学科
工学
关键词
化学机械平坦化
铜CMP后清洗
去除颗粒
表面活性剂
年,卷(期)
2018,(10)
所属期刊栏目
试验与技术
研究方向
页码范围
3256-3259
页数
4页
分类号
TN405
字数
1958字
语种
中文
DOI
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单位
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檀柏梅
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胡新星
河北工业大学电子信息工程学院
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硅酸盐通报
主办单位:
中国硅酸盐学会
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-1625
CN:
11-5440/TQ
开本:
16开
出版地:
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
邮发代号:
80-774
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
8598
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10
总被引数(次)
58151
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