新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除

• 作者: 刘宜霖 刘玉岭 杨柳 檀柏梅 高宝红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CMP后清洗 碱性清洗液 FA/OⅡ型螯合剂 O-20型活性剂 表面粗糙度 表面张力
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 95-99,105
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.05.017

摘要

随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要.本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OⅡ型螯合剂和O-20非离子表面活性剂.FA/OⅡ型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节Ph值,还能在CMP条件下与表面生成的CuO和Cu(OH)x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的 SiO2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走.通过一系列对比试验得出,当清洗液中 FA/OⅡ型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学电子信息工程学院	85	534	13.0	18.0
3	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
5	高宝红	河北工业大学电子信息工程学院	29	61	4.0	5.0
7	杨柳	河北工业大学电子信息工程学院	9	23	3.0	4.0
17	刘宜霖	河北工业大学电子信息工程学院	5	10	2.0	2.0