微电子材料CMP加工中去除率与速度的关系

• 作者: 严波 吕欣 张晓敏
• 来源期刊: 重庆大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 微电子材料 化学机械平坦化 材料去除率 刮痕
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 资源环境、土木工程
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: O33
• 字数: 2455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-582X.2005.02.028

摘要

通过研究微电子材料化学机械平坦化(CMP)加工过程中磨料颗粒在晶片加工表面的运动规律,得到磨料颗粒在晶片表面的运动轨迹方程.当晶片和垫板的转动角速度相同时,得出材料去除率(MMR)与垫板和晶片相对速度成正比的结论.给出了磨料颗粒在晶片加工表面形成的刮痕迹线实例.其结果对于正确理解微电子材料CMP加工中的材料去除机理具有实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓敏	重庆大学资源及环境科学学院	39	248	10.0	14.0
2	严波	重庆大学资源及环境科学学院	107	839	16.0	24.0
3	吕欣	重庆大学土木工程学院	8	38	3.0	6.0