GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能

• 作者: 李志文 李树深 王雪峰 郑文礼
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 有效质量 束缚能 微扰法 量子点
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 教学讨论
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0712.2008.06.008

摘要

在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志文	承德民族师范高等专科学校物理系	12	40	4.0	5.0
2	李树深	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	20	78	5.0	8.0
3	王雪峰	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	10	45	4.0	6.0
4	郑文礼	承德民族师范高等专科学校物理系	6	31	3.0	5.0