无助剂AlN陶瓷的高压烧结制备及热导率

• 作者: 刘万强 左桂鸿 李吉刚 李小雷 李尚升 贾晓鹏 郑友进 马红安
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 高压烧结 微观结构 热导率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 215-219
• 页数: 5页
• 分类号: TB321|TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2008.02.017

摘要

以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0GPa,1 300～1 800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜对高压烧结AlN陶瓷微观结构进行了表征.结果表明:经1 300℃烧结50 min制备的AlN陶瓷的相对密度达94.8%.经1 400℃烧结50min制备的AlN陶瓷的断裂模式为穿晶断裂.经1 800℃烧结50min制备的AlN陶瓷由单相多晶等轴晶粒组成,该样品的热导率达115.0W/(m·K).高压烧结制备的AlN陶瓷的晶格常数比AlN粉体的略有减小.高压烧结温度的提高和烧结时间的延长有助于提高AlN陶瓷的热导率.