激光功率密度对Ge烧蚀蒸气动力学特性的影响

• 作者: 吴东江 尹波 王续跃 许媛
• 来源期刊: 中国激光
• 关键词: 激光技术 等离子体 数值模拟 脉冲激光烧蚀 晶体Ge
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 462-465
• 页数: 4页
• 字数: 2292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.03.031

摘要

建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响.结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大.照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早.在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×108～1.5×108 W/cm2之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴东江	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	63	533	14.0	20.0
2	王续跃	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	87	426	10.0	15.0
3	许媛	黄山学院信息工程学院	18	35	3.0	5.0
4	尹波	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	4	63	3.0	4.0