一种1.5GHz0.25μmCMOS低噪声放大器设计

• 作者: 叶甜春 王良坤 马成炎
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 841-844
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.027

摘要

提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺制作.与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了级间耦合电容,使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善.该放大器的正向功率增益为21.8 dB,NF为0.96 dB,IIP3为-11 dBm,功耗为20 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足GPS接收机射频前端对低噪声放大器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马成炎		50	182	8.0	10.0
2	叶甜春	中科院微电子研究所	14	91	5.0	9.0
3	王良坤	中科院微电子研究所	1	3	1.0	1.0