SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究

• 作者: 张义门 张玉明 马仲发 马格林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiC X射线光电子谱 C 1s谱
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 4125-4129
• 页数: 5页
• 字数: 4235字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种新的,用末限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C 1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C 1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C 1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马格林	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	3	1.0	1.0
2	张玉明	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	9	23	3.0	4.0
3	张义门	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	10	25	3.0	4.0
4	马仲发	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	3	1.0	1.0