退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

• 作者: 宋红强 张泽 梅良模 王勇 颜世申
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 磁性半导体 退火 磁性
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4534-4538
• 页数: 5页
• 字数: 2645字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学院物理研究所	507	5142	33.0	48.0
3	梅良模	山东大学物理与微电子学院	62	303	10.0	13.0
4	张泽		44	272	8.0	15.0
5	颜世申	山东大学物理与微电子学院	8	34	4.0	5.0
6	宋红强	山东大学威海分校空间科学与应用物理系	6	17	2.0	4.0