采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在Si(100)衬底上制备出硼碳氮(BCN)薄膜.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)考察了不同沉积参数(溅射功率为80~130 W、衬底温度为300~500℃、沉积时间为1~4 h)条件下制备的薄膜样品.实验结果表明,所制备薄膜均实现了原子级化合.并且沉积参数对BCN薄膜的生长和内应力有很大影响,适当改变沉积参数能有效释放BCN薄膜的内应力.在固定其他条件只改变一个沉积参数的情况下,得到制备具有较小内应力的硼碳氮薄膜的最佳沉积条件:溅射功率为80 W、衬底温度为400℃、沉积时间为2 h.