原文服务方: 科技与创新       
摘要:
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能.本文设计了一款深亚微米工艺下的16-kb的高速,低功耗双端口可重构SRAM.它可以重构成16Kx1,8Kx2,4Kx4,2Kx8,1Kx16和512x32六种不同的工作模式.基于不同的配置选择,此SRAM可以配置为双端口SRAM,单端口SRAM,ROM,FIFO,大的查找表或移位寄存器,本文完整介绍了该SRAM的设计方法,重点介绍了一种新颖的存储单元电路结构:三端口存储单元,以及用于实现可重构功能的电路的设计方法.
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文献信息
篇名 平台式FPGA中可重构存储器模块的设计
来源期刊 科技与创新 学科
关键词 静态存储器 可重构 三端口存储单元 列选择器 灵敏放大器
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 PLD CPLD FPGA应用
研究方向 页码范围 191-193
页数 3页 分类号 TN492
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.02.077
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘忠立 中国科学院半导体研究所 77 412 12.0 14.0
2 于芳 中国科学院半导体研究所 28 112 6.0 9.0
3 陈陵都 中国科学院半导体研究所 6 32 4.0 5.0
4 段会福 中国科学院半导体研究所 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
静态存储器
可重构
三端口存储单元
列选择器
灵敏放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
半月刊
2095-6835
14-1369/N
大16开
2014-01-01
chi
出版文献量(篇)
41653
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总被引数(次)
202805
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