掺杂及工艺条件对室温制备ZnO∶Al性能的影响

• 作者: 任明放 杨玲 王华 许积文
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌铝 透明导电薄膜 光电性能 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.011

摘要

采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响.结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100 W以及Ar压强为1.5 Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3 Ω*cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86～90%,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动.对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6～2.0 Pa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
6	许积文	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	68	171	6.0	10.0
7	杨玲	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	35	103	6.0	8.0