一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征

• 作者: 刘东明 胡刚 颜秀文
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体缺陷 离子注入 位错 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 61-62
• 页数: 2页
• 分类号: TN305.3

摘要

在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中，发现了一种“纳米网状”的结构缺陷。利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究。结果表明，该缺陷呈网状，化学成分为硅和氧。初步研究认为，氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因。