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摘要:
提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件.采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°~+120 ℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5 ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7ppm/℃的低温度系数.
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文献信息
篇名 一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源
来源期刊 重庆邮电大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 二阶补偿 低温度系数
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 通信与电子
研究方向 页码范围 78-82,86
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴贵能 16 69 6.0 7.0
2 周玮 12 56 6.0 7.0
6 李儒章 第二十四研究所模拟集成电路国家级重点实验室 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准电压源
曲率补偿
二阶补偿
低温度系数
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相关学者/机构
期刊影响力
重庆邮电大学学报(自然科学版)
双月刊
1673-825X
50-1181/N
大16开
重庆南岸区
78-77
1988
chi
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3229
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12
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