纳米VO2多晶材料的低温相变和随机阻抗网络模型

• 作者: 熊笔锋 马宏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米VO2 热滞回线 随机阻抗网络模型
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 571-573
• 页数: 3页
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线.此外,给出了VO2多晶材料在半导体区和金属区的简化随机阻抗网络模型的电阻公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊笔锋		1	0	0.0	0.0
2	马宏		1	0	0.0	0.0