化学气相沉积制备粉体材料的原理及研究进展

• 作者: 刘志宏 刘智勇 张淑荚 李玉虎 王娟
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 化学气相沉积 生长机理 进展
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 359-364
• 页数: 6页
• 分类号: TF123.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2009.06.002

摘要

采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉未,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料.该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料,通过化学气相反应合成所需粉末,因其制备的粉末纯度高,比表而积大,结晶度高,粒径分御均匀、可控,在粉体材料制备方面的应用日趋广泛.该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程.CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤.按照加热方式不同,CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等,用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点,选择合适的气源,开发更为安全、环保的生产工艺,以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王娟	中南大学冶金科学与工程学院	81	666	14.0	23.0
2	刘志宏	中南大学冶金科学与工程学院	96	919	17.0	25.0
3	刘智勇	中南大学冶金科学与工程学院	104	662	13.0	20.0
4	李玉虎	中南大学冶金科学与工程学院	42	289	9.0	13.0
5	张淑荚	中南大学冶金科学与工程学院	1	25	1.0	1.0