一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现

• 作者: 唐立田 尹军舰 张海英 李潇 黄清华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 跨阻放大器 RGC结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 566-569
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.020

摘要

采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器.针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3 pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中.测试结果表明单端跨阻增益高达78 dB·Ω,-3 dB带宽超过300 MHz,100 MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3 pA/平方根Hz,功耗仅为14.4 mW.芯片面积(包括所有PAD)为500 μm×460 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室	31	99	6.0	7.0
3	李潇	中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室	23	130	7.0	10.0
4	黄清华	中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室	11	53	4.0	7.0
5	唐立田	中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室	1	17	1.0	1.0