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摘要:
给出了一种在0.18μm CMOS工艺下应用于2.4GHz无线传感器网络(WSN)的低功耗低噪声放大器(LNA)的设计.为了满足低功耗需求,电路采用1V电压供电.低噪声放大器由级联共栅结构构成,并且将第一级电路的MOS管偏置于亚阈值区以进一步降低功耗.同时,第一级共栅电路采用电容交叉耦合结构,在降低噪声和功耗的同时提高增益;第二级共栅电路采用负载差分电感交叉正反馈的形式,在不增加功耗的情况下,提高电感等效Q值以进一步提高电路的增益.为了满足无线传感网应用需求,该低噪声放大器具有高、低两个增益模式.测试结果显示,芯片在1V电源电压下,功耗为0.62rmW;在高增益模式下,增益S21约为17.3dB,噪声系数约为4.7dB;在低增益模式下增益S21约1.2dB,输入1dB压缩点为-4.4dBm.
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文献信息
篇名 2.4GHz无线传感网亚阈值区低功耗低噪声放大器的设计
来源期刊 高技术通讯 学科
关键词 低噪声放大器 低功耗 亚阈值区 交叉耦合 正反馈
年,卷(期) 2013,(12) 所属期刊栏目 先进制造与自动化技术
研究方向 页码范围 1308-1315
页数 8页 分类号
字数 5758字 语种 中文
DOI 10.3772/j.issn.1002-0470.2013.12.014
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
低功耗
亚阈值区
交叉耦合
正反馈
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
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14
总被引数(次)
39217
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