采用超临界CO2流体清除硅芯片上的纳米粒子

• 作者: 孙毅彬 张超 戴剑锋 李扬 李维学 王青
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 黏结 清除 纳米粒子 超临界CO2流体
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN07
• 字数: 4058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2009.01.005

摘要

分析了Cu和Au纳米粒子在硅芯片表面的各种黏结机理,表明金属及其氧化物纳米粒子与硅芯片表面的主要黏结力为范德瓦耳斯力、静电双层吸引力和毛细吸附力.建立了高速流体清除纳米粒子的动力学模型,表明超临界CO2流体清除纳米粒子的机制是以滚动清除为主.与高压CO2气体相比,超临界CO2流体的密度高,有效增加了作用在纳米粒子上的拖拉力,同时消除了毛细吸附力,所以可以显著提高纳米粒子的清除效率.当超临界CO2流体的速度达到10.4 m/s时,即可将直径为30 nm的金属铜污染粒子清除掉;随着流体速度的增加,可清除更加微小的粒子.