用于高级CMOS技术的静电放电保护器与电路设计

• 作者: 胡光华（评）
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS技术 静电放电 电路设计 保护器 半导体器件 保护电路 电流密度 ESD
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN912.3

摘要

当技术进入纳米范畴时，伴随着静电放电（ESD）保护电路而来的挑战变得日益复杂。为了克服纳米ESD挑战，人们必须了解在很高的电流密度、高温瞬变下半导体器件的行为。因此寻找在这特定技术中合适的ESD解决方案就必须从器件的层次上开始。