In0.53Ga0.47As红外探测器结构设计与器件性能研究

• 作者: 傅军 宋航 张福恒 张铁民 林红 缪国庆 颜丽娜
• 来源期刊: 海南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 红外探测器
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 基础理论与应用研究
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4942.2009.02.010

摘要

采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长InGaAs红外探测器器件结构.器件结构为:在掺杂的InP衬底上生长2.8μm的In0.53Ga0.47As吸收层,然后再生长0.8 μm的InP覆盖层.采用Zn扩散技术得到P型,从而制备出平面型p-i-n探测器器件,并对128×2线列器件的性能进行研究,测量线列探测器的I-V曲线、光谱响应曲线.所制作的128×2 In0.53Ga0.47As线列器件无盲元.线列器件的平均峰值探测率D*为3.98×1011cmHz1/2W-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅军	海南师范大学物理与电子工程学院	44	137	6.0	10.0
2	缪国庆	中国科学院激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
3	宋航	中国科学院激发态物理重点实验室	15	37	4.0	5.0
4	张铁民	海南师范大学物理与电子工程学院	29	73	4.0	7.0
5	颜丽娜	海南师范大学物理与电子工程学院	18	50	4.0	7.0
6	林红	海南师范大学物理与电子工程学院	28	38	3.0	5.0
7	张福恒	海南师范大学物理与电子工程学院	15	14	3.0	3.0