非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

• 作者: 宋航 张铁民 殷景志 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1056-1058
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015

摘要

采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
2	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	12	54	5.0	6.0
3	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	13	45	4.0	5.0
4	殷景志	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	2	5	1.0	2.0
5	张铁民	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	2	6	1.0	2.0