载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响

• 作者: 孙阳 徐学俊 陈少武
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 载流子寿命 双光子吸收 自由载流子吸收 Si基光波导 离子植入 pin结构
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 335-339,345
• 页数: 6页
• 分类号: TN252|TN304.12
• 字数: 4154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.06.003

摘要

研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果.经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	39	387	9.0	19.0
2	孙阳	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	22	125	5.0	10.0
3	徐学俊	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	7	17	2.0	4.0