磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展

• 作者: 吴晓薇 郭子政
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: MRAM TMR效应 自旋转矩效应 旋档切换开关
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 记录与介质
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: TQ581
• 字数: 5889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2009.02.009

摘要

磁阻式随机存取存储器(MRAM)巴被公认为一种前景非常广阔的存储器.本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别.实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能.MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM.本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	40	143	6.0	10.0
2	吴晓薇	内蒙古农业大学理学院	16	115	5.0	10.0