磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究

• 作者: 于庆奎 孙毅 张洪伟 戈勇 梅博 高一
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: MRAM 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁定 翻转率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 561-567
• 页数: 7页
• 分类号: TN432|V416.5
• 字数: 4839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2018.06.009

摘要

磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景.文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于庆奎		8	10	2.0	3.0
2	孙毅		4	9	2.0	3.0
3	梅博		6	9	2.0	3.0
4	张洪伟		6	7	2.0	2.0
5	戈勇	南京理工大学自动化学院	1	3	1.0	1.0
6	高一		1	3	1.0	1.0