NAND Flash存储器单粒子效应试验研究

• 作者: 安恒 张晨光 曹洲 薛玉雄 高欣
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 地球科学
• 关键词: 单粒子效应 NAND闪存 脉冲激光 重离子
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与网络
• 页码范围: 81-86,101
• 页数: 7页
• 分类号: P228
• 字数: 5867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2019.03.014

摘要

单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障.文章针对大容量NAND Flash存储器,利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究,明确了此类器件的单粒子效应特点,探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法,为工程设计及试验评估提供了技术基础与保障.经皮秒脉冲激光试验发现,NAND Flash存储器件的存储单元易发生单粒子多位翻转,控制电路单元则发生单粒子锁定和功能中断.经高LET值Xe+离子辐照试验发现,重离子会诱发器件产生电流尖峰脉冲(或电流火花)现象;在NAND Flash存储器未加电状态下,仍可诱发单粒子翻转;重离子辐照后存储器坏块明显增加,试验获得的单粒子翻转截面高达1.18×10-7 cm2/位.基于试验结果分析,认为发生多位翻转的原因是激光束覆盖多个存储单元所造成;重离子辐照引起的浮栅晶体管击穿是存储器坏块增多的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹洲	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	14	60	4.0	7.0
2	高欣	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	6	11	2.0	3.0
3	薛玉雄	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	22	63	4.0	6.0
4	安恒	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	15	41	3.0	5.0
5	张晨光	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	5	5	2.0	2.0