Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 巨介电常数 介电弛豫 直流偏压
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 39-42,46
• 页数: 5页
• 分类号: O511.2~+4
• 字数: 3021字
• 语种: 中文

摘要

采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu_3Ti_(4-x)Al_XO_(12-x/2)(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz～1 kHz频率范围内,tan δ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al~(3+)取代Ti~(4+)可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.