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摘要:
采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu_3Ti_(4-x)Al_XO_(12-x/2)(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明,Al的添加可促进CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)晶界处小晶粒生长,拟制大晶粒长大,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低了CCTAO陶瓷样品低频范围的介电损耗.x=0.2时在40 Hz~1 kHz频率范围内,tan δ均小于0.05,最小值仅为0.033.对该样品偏压下的介电性能的研究发现,Al~(3+)取代Ti~(4+)可实现P型掺杂,改变基体的半导状态,拟制表面作用,从而使样品低频范围受偏压影响明显减弱.
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巨介电常数
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文献信息
篇名 Al掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响
来源期刊 陕西师范大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 巨介电常数 介电弛豫 直流偏压
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 物理学
研究方向 页码范围 39-42,46
页数 5页 分类号 O511.2~+4
字数 3021字 语种 中文
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介电弛豫
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研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
陕西师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-4291
61-1071/N
大16开
陕西省西安市长安南路
52-109
1960
chi
出版文献量(篇)
3025
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7
总被引数(次)
18459
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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