SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响

• 作者: 刘兵发 刘宇 刘桂华 巩会玲 李旺 杜国平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CaCu_3Ti_4O_(12) SiO_2添加物 介电性能 微观结构 物相结构
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1365-1369
• 页数: 5页
• 分类号: TQ28
• 字数: 3373字
• 语种: 中文

摘要

采用传统固相反应法制备了不同SiO_2掺量的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO) 陶瓷材料,并研究了SiO_2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:高温烧结时,SiO_2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响.CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO_2含量的增多而相应减小.阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO_2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO_2的掺入而显著增大.分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国平	南昌大学材料科学与工程学院	11	105	6.0	10.0
2	刘桂华	南昌大学材料科学与工程学院	13	144	6.0	12.0
3	刘兵发	南昌大学材料科学与工程学院	10	63	5.0	7.0
4	刘宇	南昌大学材料科学与工程学院	32	168	7.0	10.0
5	李旺	南昌大学材料科学与工程学院	9	74	5.0	8.0
6	巩会玲	南昌大学材料科学与工程学院	3	16	2.0	3.0