单体对制备SiOx高阻隔包装薄膜的影响

• 作者: 周美丽
• 来源期刊: 包装世界
• 学科: 工学
• 关键词: 四甲基二硅氧烷(TMDSO) 六甲基二硅氧烷(HHDSO) 高阻隔性薄膜 低温等离子体
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 产业研发
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TB48
• 字数: 1771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-9929.2009.03.008

摘要

本文论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层.实验分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体、氢气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等包装基材上沉积硅氧阻隔膜.比较了不同单体在制备氧化硅阻隔膜时各种工艺参数对薄膜的阻隔性能影响.