抛光工艺对硅基Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响

• 作者: 刘定权 张素英 李斌 谢平
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光 Si基板 Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜 沉积速率 光学常数
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 418-422
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 3540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2009.06.005

摘要

研究了不同的抛光方法(机械抛光、化学腐蚀及化学机械抛光)对硅基板上沉积的Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响.研究表明,经化学机械抛光(SiO_2胶体或Cr~+)的硅基板上所沉积的Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜具有致密的结构及平直的界面,其沉积速率也比在化学腐蚀抛光表面的沉积速率大7%或18%(分别对应<111>和<100>晶向);薄膜具有明显高于化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率,且折射率随温度的降低而增加,而低温下折射率随波长的增加而增加;化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率的增加量明显大于化学机械抛光基板沉积薄膜的增加量;薄膜层经机械抛光后,其膜层结构、组分及其深度分布均未改变,但透射率增加,消光系数有所改善,折射率有所降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国科学院上海技术物理研究所	372	5610	37.0	58.0
2	刘定权	中国科学院上海技术物理研究所	49	176	8.0	12.0
3	谢平	中国科学院上海技术物理研究所	49	1205	17.0	34.0
4	张素英	中国科学院上海技术物理研究所	14	22	3.0	3.0